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La HIKSEMI HS-SSD-WAVE(N) 512G es una unidad de estado sólido interna en formato M.2 2280 con interfaz SATA III, memoria 3D NAND y velocidades secuenciales de hasta 560 MB/s en lectura y 500 MB/s en escritura.
Ofrece 90.000 IOPS en lectura aleatoria 4K, una resistencia de 140 TBW, MTBF de 1.500.000 horas, soporte TRIM y S.M.A.R.T., y 3 años de garantía, ideal para acelerar el arranque y el rendimiento de PC y portátiles.
La HIKSEMI WAVE(N) de 512 GB es una unidad de estado sólido interna en formato M.2 2280 con interfaz SATA III, concebida para optimizar el sistema operativo del equipo y ofrecer un servicio de datos estable y rápido, acelerando el arranque y el rendimiento general. Basada en memoria 3D NAND y sin partes mecánicas móviles, aporta mayor densidad, estabilidad y resistencia a vibraciones frente a los discos duros tradicionales. Alcanza hasta 560 MB/s de lectura secuencial y 500 MB/s de escritura secuencial, con 90.000 IOPS de lectura aleatoria 4K, resultando una solución idónea para actualizar ordenadores de sobremesa y portátiles con ranura M.2 SATA.
La unidad emplea la interfaz SATA III sobre un módulo M.2 2280, el estándar de tamaño más extendido en placas base y portátiles con ranura M.2 SATA. Esta combinación facilita una instalación limpia, sin cables de datos ni de alimentación, aprovechando el ancho de banda máximo del bus SATA de 6 Gb/s.
El modelo de 512 GB alcanza hasta 560 MB/s de lectura secuencial máxima y 500 MB/s de escritura secuencial máxima, con 90.000 IOPS de lectura aleatoria 4K y 75.000 IOPS de escritura aleatoria 4K. Estos valores aceleran el arranque del sistema operativo, la carga de aplicaciones y las operaciones cotidianas de lectura/escritura de archivos.
La tecnología 3D NAND permite mayor capacidad, rendimiento y estabilidad. La unidad declara una resistencia de escritura de 140 TBW y un MTBF de 1.500.000 horas, con soporte de TRIM y S.M.A.R.T. para mantener el rendimiento y supervisar el estado de la unidad a lo largo de su vida útil.
Al carecer de estructura mecánica y basar el control en chips electrónicos, la WAVE(N) ofrece mayor seguridad de los datos y resistencia frente a golpes y vibraciones, un factor clave en equipos portátiles y entornos con movimiento.
Con un consumo máximo de 2,5 W y un peso de tan solo 5,4 g, la unidad funciona entre 0 °C y 70 °C y admite almacenamiento entre -40 °C y 85 °C, adecuándose a las condiciones habituales de ordenadores de sobremesa y portátiles.
La serie WAVE(N) está disponible en capacidades de 128, 256, 512, 1024 y 2048 GB, con resistencias de 35, 70, 140, 280 y 560 TBW respectivamente, permitiendo elegir el modelo según las necesidades de almacenamiento y ciclo de escritura.
| Fabricante | HIKSEMI (Hangzhou Hikstorage Technology Co., Ltd.) |
|---|---|
| Serie | WAVE(N) |
| Modelo | HS-SSD-WAVE(N) 512G |
| Tipo de producto | SSD interno (unidad de estado sólido) |
| Capacidad | 512 GB |
| Factor de forma | M.2 2280 |
| Interfaz | SATA III |
| Bus | SATA 6 Gb/s |
| Medio de almacenamiento | 3D NAND |
| Lectura secuencial máx. | 560 MB/s |
| Escritura secuencial máx. | 500 MB/s |
| Lectura aleatoria 4K máx. | 90.000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4K máx. | 75.000 IOPS |
| Consumo máximo | 2,5 W |
| TBW (resistencia de escritura) | 140 TB |
| MTBF | 1.500.000 horas |
| TRIM | Compatible |
| S.M.A.R.T. | Compatible |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C a 70 °C (32 °F a 158 °F) |
| Temperatura de almacenamiento | -40 °C a 85 °C (-40 °F a +185 °F) |
| Peso | ≤5,4 g |
| Garantía | 3 años |
| Aplicación | Ordenadores personales, portátiles |
| Estructura | Sin partes mecánicas móviles, resistente a vibraciones |
| Capacidades de la serie | 128, 256, 512, 1024 y 2048 GB |
| Lectura secuencial (128 GB) | 550 MB/s |
| Lectura secuencial (256 GB) | 560 MB/s |
| Lectura secuencial (1024 GB) | 560 MB/s |
| Lectura secuencial (2048 GB) | 550 MB/s |
| Escritura secuencial (1024 GB) | 510 MB/s |
| TBW (1024 GB) | 280 TB |
| TBW (2048 GB) | 560 TB |
| Versión de ficha técnica | V1.0.0 (22/02/2023) |
